HP arvioi että se pystyy tuomaan kilpailijan nykyisille Flash-muisteille jo 2013 käyttämällä uutta memristor-pohjaista ReRAM-muistia (Resistive Random Access Memory). Memristor-muistit ovat non-volatile tyyppisiä joten ne eivät menetä tilaansa virran katketessa. HP odottaa teknologian kehittyvän niin nopeasti, että uusi muistityyppi olisi kilpailija myös DRAM-muisteille jo 2014 tai viimeistään 2015, ja sen jälkeen edessä olisi SRAM:n korvaus.
HP:n tekniikka mahdollistaa myös muistikerroksen latomisen suoraan prosessoripiirin päälle, mikä mahdollistaa entistä tiheämmät SoC-järjestelmäpiirit mobiililaitteissa. HP:n muistiteknologian lisäksi kehityksen alla on myös Toshiban MRAM-muistit, ja molempien yhteistyökumppanina toimii muistivalmistaja Hynix.
"Olemme suunnittelemassa (Flashin) korvaavaa piiriä julkaistavaksi puolentoista vuoden kuluttua, ja aiomme luoda SSD:n korvaajan samassa ajassa.
Flash on jo ohitettu, nyt jahtaamme DRAM-muistia ja uskomme pystyvämme kaksi kertaluokkaa parempaan tehokkuuteen mitatessa kulutettua energiaa per siirretty bitti.
Ladomme muistin suoraan prosessoripiirin päälle, ja koska dataa ei tarvitse lähettää piirin ulkopuolelle, suorituskykyparannus vastaa 20 vuotta Mooren Lain mukaista etenemistä.
Olemme maailman suurin DRAM-muistien hankkija ja toisiksi suurin Flash-muistin hankkija ja pyrkimyksemme on uudelleenjärjestää toimitusketjuamme. Aikeenamme on lisensoida teknologia kaikille halukkaille, ja opetamme heitä sen valmistuksessa. Joudut kuitenkin odottamaan tovin, sillä jono on jo pitkä. Teimme tämän itse koska emme suoraan sanottuna nähneet paljoakaan innovaatiota muilta."
Stan Williams, HP Senior Fellow
Kirjoittaja: Panu Roivas @ 8. lokakuuta, 2011 16:00
