Samsungin uusi kahdeksan gigabitin LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate) mobiili-DRAM-muisti on valmistettu 20 nanometrin viivanleveydellä, joka mahdollistaa gigatavun keskusmuistia per ydin. Uusi muistipiiri kuluttaa vähemmän virtaa ja on suorituskyvyltään parempi: uuden muistin nopeus on kaksinkertainen verrattuna esimerkiksi tällä hetkellä massatuotannossa olevaan 20 nanometrin DDR3 DRAM-muistiin.
Lisäksi neljä kahdeksan gigabitin muistipiiriä voidaan yhdistää yhdeksi neljän gigatavun LPDDR4-muistipaketiksi, mikä tarkoittaa sitä, että älypuhelimissa tai muissa mobiililaitteissa voi tulevaisuudessa olla jopa neljä gigaa keskusmuistia. Keskusmuistin lisääntyminen osaltaan mahdollistaa nopeammat sovellukset, näyttöjen korkeammat resoluutiot, pidemmät akkukestot ja yleisesti ottaen monipuolisemmat ominaisuudet mobiililaitteisiin. Asiasta myös raportoinut T3-sivusto arvioi uuden muistin mahdollistavan muun muassa 4K-resoluution näytöt älypuhelimiin ja tabletteihin.
Uuden LPDDR4 DRAM -muistin toimitukset on tarkoitus aloittaa ensi vuonna.
Kirjoittaja: Juha Tuppi @ 30. joulukuuta, 2013 17:38
