Qualcommin aiemmin esittelemä Snapdragon 810 -järjestelmäpiiri sisältää tuen uuden sukupolven muistipiireille, joten vähävirtaisia ja nopeita LPDDR4-muisteja saatetaan nähdä jo ensi vuoden high-end-mobiililaitteissa.
20 nanometrin tekniikalla valmistettavien muistipiirien käyttöjännite on 1,1 volttia ja siirtonopeus on parhaimmillaan 3200 Mbps, minkä ansiosta piirit soveltuvat dataintensiivisiin ja vähävirtaisuutta korostaviin käyttötarkoituksiin. Muistien uskotaan löytävän tiensä tuleviin UHD-näyttöisiin mobiililaitteisiin, kuten tabletteihin ja ehkä vielä joku päivä puhelimiinkin.
Samsungin mukaan LPDDR4-piireistä valmistettu kahden gigatavun muisti kuluttaa 40 prosenttia vähemmän tehoa kuin neljän gigabitin piireistä valmistettu kahden gigatavun LPDDR3-muisti.
Samsung on jo aloittanut kahden ja kolmen gigatavun LPDDR4-muistien toimitukset ja ensimmäisten neljän gigatavun LPDDR4-muistien toimitusten on tarkoitus alkaa ensi vuoden alussa.
Kirjoittaja: Manu Pitkänen @ 23. joulukuuta, 2014 20:00
