Samsung ja Intel eivät halunneet vielä tässä vaiheessa paljastaa koska ne olisivat valmiita aloittamaan transistoreiden valmistamisen 10 nanometrin tekniikalla, mutta TSMC:n mukaan se voisi aloittaa tuotannon vuoden 2017 aikana. TSMC ei tarkentanut onko kyse niin sanotun riskituotannon vai massatuotannon alkamisesta.
TSMC ennusti kuitenkin, että vuoden 2018 lopulla sen 10 nanometrin tuotantokapasiteetti olisi 90 000 kiekkoa kuukaudessa. Tavalliselle ihmiselle lukema tuskin sanoo yhtään mitään, mutta karkeiden arvioiden mukaan esimerkiksi iPhone 6:ssa käytettävien A8-suorittimien valmistaminen viime vuoden lopulla tarvitsi noin 50 000 kiekkoa kuukaudessa.
ISSCC-puolijohdekonferenssissa puhunut Samsungin puolijohdeyksikön johtaja Kinam Kim arvioi Samsungin kykenevän kutistamaan viivanleveyttä ilman suurempia ongelmia aina viiteen nanometriin saakka.
Samsung on myös luottavainen sen suhteen, että se pystyy valmistamaan transistoreita vieläkin pienemmällä, noin 3,2 nanometrin viivanleveydellä. Transistoreissa käytetyt materiaalit vaihtunevat kuitenkin jo aikaisemmin piistä muihin puolijohteisiin ja transistorit muuttuvat Gate All Around -muotoon.
Kirjoittaja: Manu Pitkänen @ 25. helmikuuta, 2015 14:42
